半導體設備XHEMIS TX-3000理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀
半導體設備理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀

TXRF光譜儀
超快速金屬污染測繪

兼容最大 300mm 晶圓

產(chǎn)品分類

CLASSIFICATION

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詳細介紹

半導體設備理學Rigaku反射熒光X射線光譜儀

XHEMIS TX-3000 概述

檢測限LLD（E10原子/cm2）	鋁	鐵	鎳	銅
發(fā)射光譜	14	0.06	0.06	0.09

測量時間：1000秒

方法	全內(nèi)反射X射線熒光分析（TXRF）
目的	快速無損測量痕量元素表面污染（Na - U）將繪圖速度提高約 3 倍 E9 原子/cm2 的檢測極限
技術	高靈敏度金屬污染分析
主要部件	3 探測器配置高功率 W 對陰極 X 射線源（9 kW 旋轉對陰極）針對輕元素、過渡元素和重元素優(yōu)化的 3 種激發(fā)能量 XYθ 樣品臺 2 個 FOUP 裝載端口
特征	全晶圓映射 (SWEEPING-TXRF)、零邊緣排除 (ZEE-TXRF)
選項	背面分析 (BAC-TXRF)、GEM300 軟件、E84/OHT 支持
機身尺寸	1280（寬）×3750（深）×2040（高）（不含監(jiān)視器和信號塔）
測量結果	定量結果、光譜圖、彩色等高線圖、映射表

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